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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3098
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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