RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
es
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 9.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 7.6
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 35
    En -3% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 34
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 9.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 7.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2321 left arrow 2050

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Memoria RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Memoria RAM
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Memoria RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Memoria RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Memoria RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Memoria RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Memoria RAM