RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
1651
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link