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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Compara
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Puntuación global
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,384.7
1,871.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
52
En -6% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
52
49
Velocidad de lectura, GB/s
5,635.1
4,345.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,384.7
1,871.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1037
649
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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