RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3628
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link