RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3628
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link