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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3519
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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