RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3519
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link