RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
104
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.5
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.6
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
44
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1660
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link