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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
69
En -156% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3684
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
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