RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3684
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link