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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
69
En -188% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2432
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
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