RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2432
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link