RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
64
En -137% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
3429
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link