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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
64
Por volta de -137% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
13.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
3429
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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