RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
50
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
18.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
4219
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link