RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
4219
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link