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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Compara
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
55
En -139% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
15.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
13.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2701
3116
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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