RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
55
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
55
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2701
3116
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Jinyu 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link