RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
38
En -90% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
20
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3429
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link