RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
38
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3429
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link