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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
45
En -165% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
17
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3731
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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