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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
45
Intorno -165% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
17
Velocità di lettura, GB/s
12.3
22.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3731
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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