RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
48
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2808
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link