RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3735
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link