Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Puntuación global

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 71

En 58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

10.6 6.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

6.8 4.8

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

10600 8500

En 1.25 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1479 1092

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns