Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Puntuación global

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 32

En 6% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

19.4 10.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

16.3 6.8

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 8500

En 2.51 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1479 3726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns