RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
31
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2865
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link