RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2194
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link