RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
34
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2739
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link