RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1832
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Mushkin 991586 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link