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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
59
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
59
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2181
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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