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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3552
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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