RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1393
3561
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link