Comparación de la memoria RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Puntuación global

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

22 35

En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.7 13.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.7 10.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 17000

En 1.25% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3075 2155

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns