Comparação RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Pontuação geral

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

22 35

Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.7 13.5

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.7 10.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 17000

Por volta de 1.25% maior largura de banda

Razões a considerar
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Lista completa de especificações técnicas

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3075 2155

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns