RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
60
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
60
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2511
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link