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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
60
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
60
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1314
2511
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
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