RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
46
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
46
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2717
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link