RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
38
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
3394
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link