RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2740
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link