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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,723.5
15.2
写入速度,GB/s
2,076.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2740
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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