RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
60
En -122% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
27
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
3531
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link