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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
3159
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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