RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2488
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link