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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
5,535.6
15.6
写入速度,GB/s
1,852.4
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2783
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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