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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
72
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
72
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
1817
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kllisre 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
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