RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
50
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3460
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link