RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
50
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3460
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link