RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
50
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3473
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link